Intel y ASML han colaborado en las herramientas de litografía EUV de alta NA para liderar la próxima generación de chips.
Avances en la Litografía EUV
Para avanzar en los nodos de procesamiento, los fabricantes de chips deben utilizar la fotolitografía que pueda admitir de manera confiable tamaños de características más pequeñas. La litografía de ultravioleta extremo (EUV), una de las principales herramientas para alcanzar estos tamaños, dirige la luz EUV en obleas de silicio para crear patrones intrincados, mejorando significativamente la resolución y precisión del patrón de semiconductores.
Intel Lidera la Revolución en Litografía EUV
Intel recientemente se convirtió en el primer cliente comercial de la herramienta EUV de alta Apertura Numérica (NA) de ASML. Intel afirma que esta herramienta puede cambiar el diseño óptico para proyectar imágenes impresas en una oblea de silicio, aumentando drásticamente la resolución y la escalabilidad de los procesadores que están por venir.
Entrevista con Mark Phillips de Intel
Todo sobre Circuitos habló con Mark Phillips, director de hardware y soluciones de litografía de Intel, para conocer más sobre la nueva herramienta.
Liderazgo en la Innovación Tecnológica
En un esfuerzo por apoyar nodos de procesamiento avanzados, Intel y ASML se han asociado para ensamblar un escáner TWINSCAN EXE:5000 de ASML, convirtiendo a Intel en el primero en la industria en recibir una herramienta EUV de alta NA.
Entendiendo la Tecnología
El escáner TWINSCAN EXE:5000 utiliza una longitud de onda EUV de 13.5 nm y una apertura numérica (NA) de 0.55 para lograr una resolución de hasta 8 nm y una velocidad de hasta 185 obleas por hora (con una dosis de 20 mJ/cm2). En comparación con los sistemas anteriores, que tenían una NA de 0.33, el nuevo sistema ofrece un contraste de imagen más alto y reduce la exposición a la luz por capa.
Un Paso Hacia el Futuro
Intel espera utilizar tanto EUV de 0.33 NA como EUV de 0.55 NA junto con otros procesos de litografía para desarrollar y fabricar chips avanzados, comenzando con puntos de referencia del producto en Intel 18A en 2025 y avanzando al proceso Intel 14A en 2026.
Conclusión
Con la implementación de la óptica de alta NA, el tamaño máximo del campo del retículo se reduce debido al uso de un conjunto de lentes anamórficas. Este avance permitirá una mayor densidad de transistores, impulsando aún más la innovación en la industria de semiconductores.
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